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本標準規定了不帶有完整天線的短波單邊帶電臺的電性能測量方法。本標準適用于接收、發射話頻和其它型式信號，其音頻帶寬不超過10kHz的全載波(H3E)、減幅載波(R3E)和抑制載波（Ｊ３E)的不帶有完整天線的短波單邊單帶(包括獨立邊帶)電臺。本標準僅提供電性能的測量方法及其有關條…

本標準規定了短波單邊帶通信設備的安全要求。本標準適用于短波單邊帶通信設備以及設備正常工作所必須的任何輔助設備，其中包括組合單和匹配網絡。本標準的使用不只限于定型試驗，還可用于設備安裝后的驗收試驗、設備部件變更后的試驗以及為保證設備在整個壽命期間的持續安全以適…

本范圍規定了軍用電傳設備的要求、質量保證規定、交貨準備等。

電子工業部第十四研究所

本標準規定了被銀陶瓷零件的要求、試驗方法、檢驗規則、標志、包裝、運輸和貯存。

本規范規定了蓋革—彌勒（G—M）計數管的質量評定程序，給出了電性能和核幅射探測性能、環境和壽命等要求及測試方法。

本標準規定了電容器用有機薄膜電性能試驗方法中的試樣要求、試驗條件、厚度測定和試驗記錄的一般規則。

本標準規定了電容器用有機薄膜體積電阻率的試驗方法。

本標準規定了電容器用有機薄膜介質損耗角正切值和介電常數的試驗方法

本標準規定了電容器用有機薄膜擊穿強度的試驗方法。

本規程適用于輸出直流電壓標稱值為10 V、1 018 V、1 V、100 mV固態電壓標準的首次檢定、后續檢定和使用中檢查。

本規范規定了ODK-1型抗噪聲送話器詳細要求。本規范適用于陸軍和空軍用ODK-1型抗噪聲送話器（以下簡稱送話器）。

本規范規定了軍用氣導動圈式和電磁式送話器的投木要求和質量保證規定。本規范適用于陸、海、空三軍有線、無線通信用動圈式和電磁式送話器(以下簡稱送話器）。

本規范規定了便攜式非金屬地雷探測器的基本要求、試驗方法、檢驗規則及標志、包裝、運輸相貯霉籌要求。本規范適用于便攜式非盒屬地雷探測器(以下簡稱探雷囂)。

本標準規定了MFl1型負溫度系數熱敏電阻器的詳細要求，阻值比為A和B，引出端僅用S類型，電阻溫度特性誤差等級為F、G、J和K，溫度范圍為-５５一ｌ２５℃。

本標準規定了地面固定式光纖通信設備機械安裝的基本技術要求。本標準適用于地面固定式光纖通信設備的機械安裝。

本標準規定了地面固定式光纖通信設備電氣安裝的基本技術要求。本標準適用于地面固定式光纖通信設備的電氣安裝。

本規范規定了JPK-2型真空繼電器的詳細要求，其全部要求由本規范和GJB1434-92《真空繼電器總規范》的有效版本組成。本規范適用于觸點最大額定負載50A、12kV(峰值)，一組轉換觸點真空繼電器.

本標準規定了波導開關的一般技木要求、質量保證規定以及包裝、貯存和運輸的要求。本標準適用于對不同射頻通路進行轉換之用的手動或機電控制的波導開關.

ＫＢ－８４型失效保護的單刀雙擲機電控制波導開關詳細規范?

本標準規定了軍用電子設備（以下簡稱設備）結構設計與制造的總要求。本標準還規定了設備的零件、器材和制造工藝及應用程序等要求。本標準適用于軍用電子設備及相應的配套設備和備件。對于具體設備的特殊要求，應在具體設備的標準中規定。

本規范規定了3DK10l型NPN硅小功率開關晶體管(以下簡稱器件)的詳細要求。每種器件按ＧＪB33《半導體分立器件總規范》的規定，提供產品保證的三個等級(GP、GT和GCT級)。

本規范規定T3DKl02型NPN硅小功率開關晶體管（以下簡稱器件)的詳細要求。每種器件按GＪB33《半導體分立器件總規范》的規定，提供產品保證的三個等級(GP、GT和GCT級)。

本規范規定了3DK1O3型NPN硅小功率開關品障管(以下簡稱器件)的詳細要求。每種器件按GJB33《半導體分立器件總規范》的規定，提供產品保證的三個等級(GP、GT和GCT級).

本規范規定了3Dk104型NPＮ硅小功率開關晶體管(以下簡稱器件)的詳細要求;每種器件按ＧＪB33《半導體分立器件息規范》的規定，提供產品保證的三企等級(GP、GT和GCT級).

本規范規定了3DK105型NPN硅小功率開關晶體管(以下簡稱器件）的詳細要求。每種器件按GJB33《半導體分立器件總規范》的規定，提供產品保證的三個等級(GP、GT和GCT級)。

本規范規定了３DG111型NPN硅高頻小功率晶體管(以下簡稱器件)的詳細要求。該種器件按GＪB33《半導體分立器件總規范》的規定，提供產品保證的三個等級(GP、GT和GCT級).

本規范規定了3DG120型NPN硅高頻小功率晶體管(以下簡稱器件)的詳細要求.該種器件按GJB33《半導體分立器件總規范》的規定，提供產品保證的三個等級(GP、GT和GCT級).

本規范規定了CS146型硅Ｎ溝道結型場效應晶體管(以下簡稱器件)的詳細要求，該種器件按GJB33《半導體分立器件總規范》的規定，提供產品保證的三個等級(GP、GT和GCT級)。

本規范規定了3DG210型NPN硅超高頻低噪聲差對晶體管（以下簡稱器件）的詳細要求，該種器件按ＧＪB33《半導體分立器件總規范》的規定，提供產品保證的三個等級(GP、GT和GCT級).