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本規范規定了3DG120型NPN硅高頻小功率晶體管(以下簡稱器件)的詳細要求.該種器件按GJB33《半導體分立器件總規范》的規定，提供產品保證的三個等級(GP、GT和GCT級).

本規范規定了CS146型硅Ｎ溝道結型場效應晶體管(以下簡稱器件)的詳細要求，該種器件按GJB33《半導體分立器件總規范》的規定，提供產品保證的三個等級(GP、GT和GCT級)。

本規范規定了3DG210型NPN硅超高頻低噪聲差對晶體管（以下簡稱器件）的詳細要求，該種器件按ＧＪB33《半導體分立器件總規范》的規定，提供產品保證的三個等級(GP、GT和GCT級).

本規范規定了電源設備用的ＱL72型硅三相橋式整流器(以下筒稱器件)的詳細要求.該種器件按GD33《半導體分立器件總規范》的規定，提供產品保證的兩個等級(GP和GT級).

本規范規定了2CL3型硅高壓整流堆(以下簡稱器件)的詳細要求.該種器件按ＧＪＢ３３《半導體分立器件總規范》的規定，提供產品保證的兩個等級（GP和GT級)。

本規范規定了2CZ30型硅整流二極管（以下簡稱器件）的詳細要求.該種看件按GJB33《半導體分立器件總規范》的規定，提供產品保證三個等級(GP、GT和GCT囊).

本規范規定了2DWl4~l8型低噪聲低硅電壓基準二極管（以下簡稱器件）的詳細要求，該種器件按GJB33《半導體分立器件總規范》的規定，提供產品保證的三個等級(GP、GT和ＧｃＴ）.

本規范規定了2CK76型硅開關二極管(以下簡稱器件)的詳細要求，該種器件按GＪB33《半導體分立器件總規范》的規定，提供產品保證的三個等級(GP、GT和GCT級).

本規范規定了2CK105型硅開關二極管(以下簡稱器件)的詳細要求，該種器件按GＪB33《半導體分立器件總規范》的規定，提供產品保證的三個等級(GP、GT和GCT級).

本規范規定了2CK4l48型硅開關二極管(以下簡稱器件)的詳細要求，該種器件按GJB33《半導體分立器件總規范》的規定，提供產品保證的三個等級（GP、GT和GCT級）。

本規范規定了陶瓷封裝的GH24、GH2s和GH26型半導體光耦合器詳細要求。該種器件按GJB3《半導體分立器件總規范》的規定，提供產品保證的三企等級(GP、ＧＴ和GCT級).

本規范規定了半導體集成電路Jμ8254型可編程定時計數器（以下簡稱器件）的詳細要求。 本規范適用于器件的研制、生產和采購。

本規范規定了半導體集成電路Jμ8259A型可編程中斷控制器（以下簡稱器件）的詳細要求。 本規范適用于器件的研制、生產和采購。

本規范規定了半導體集成電路Jμ82288A型可編程外設接口（以下簡稱器件）的詳細要求。 本規范適用于器件的研制、生產和采購。

本標準提供了微電路應用的熱設計要求、方法和熱性能評價。本標準適用于微電路應用的熱設計。

本規范規定了軍用液晶顯示器件（以下簡稱顯示器件）的一般要求，具體要求和特性在相應軍用詳細規范(以下簡稱詳細規范)中規定。

本標準規定了軍用金屬氧化物半導體氣敏件的環境試驗方法、電負荷試驗方法和其它試驗方法。本標準沒有規定試驗中的檢測項目、檢測方法及其技木細節，檢測時可按相應技木規范的規定進行。本標準適用于軍事裝備用金屬氧化物半導體氣敏件（以下簡稱件或試樣)的環境試驗，其它類型的…

本規范規定了RMK20l2型有可靠性指標的膜式片狀固定電阻器的詳細要求。本規范適用于RＭK20l2型有可靠性指標的膜式片狀固定電阻器，該型號的電阻器對特性N、Ｍ、L和J，阻值允許偏差+0.l％、+0.5％、+l％、+2％、+5％和+10％，以及除引出端之外的全部引出端材料均適用。

木詳細規范規定了有可靠性指標的CBBK24型(非金屬殼)雙面金屬化聚丙烯膜介質直流固定電容器的結構、外形尺寸、額定值、要求和質量保證規定。本詳細規范適用于有可靠性指標的采用雙面鋁金屬化層為電極，聚丙烯膜介質，封裝在阻燃塑料外殼內的固定電容器，此電容器能承受較大電流。…

本詳細規范規定了有可靠性指標的CBBK111型(非金屬殼)聚丙烯膜介質直流固定電容器的結構、外形尺寸、額定值、要求和質量保證規定。本詳細規范適用于有可靠性指標的以鋁箔為電極，聚丙烯膜為介質，封裝在阻燃塑料外殼內的固定電容器，主要用于直流或脈動電路中。

本詳細規范規定了有可靠性指標的CLK233型金屬化聚酯膜介質直流固定電容器的結構、外形尺寸、額定值、要求和質量保證規定。本詳細規范適用于有可靠性指標的以金屬化層為電極，以聚酯膜為介質，阻燃塑料外殼及阻燃樹脂封裝的固定電容器，主要用于直流或脈動電路中。

本規范規定了CT8l08型高壓瓷介固定電窖器的結構、尺寸、主要參數和要求。本規范適用于作旁路、幅合或對損耗和電容量穩定性要求不高的電路中使用的瓷介電容器。

本規范規定了CT8l12型高壓瓷介固定電窖器的結構、尺寸、主要參數和要求。本規范適用于作旁路、耦合或對損耗和電容量穩定性要求不高的電路中使用的瓷介電容器.

本規范規定了CT105型瓷介固定電容器的結構、尺寸、主要參數和要求。本規范適用于旁路、耦合或對損耗和電容器穩定性要求不高的電路中使用的瓷介電容器。

本規范規定了CTll0型瓷介固定電容器的結構、尺寸、主要參數和要求。本規范適于作旁路、耦合或對損耗和電容量穩定性要求不高的電路中使用的瓷介電容器。

本規范規定了CT114型瓷介固定電容器的結構、尺寸、主要參數和要求。本規范適于作旁路、耦合或對損耗和電容量穩定性要求不高的電路中使用的瓷介電容器。

本規范規定了CT118型瓷介一定電容器的結構、尺寸、主要參數和要求。本規范適于作旁路、耦合或對損耗和電容量穩定性要求不高的電路中使用的瓷介電容器。

本規范規定了WR4000型精密線繞電位器的詳細要求。本規范適用于WR4000型單聯或雙聯的10圈精密線繞電位器。

本規范規定了超小型(2O.5×10.5×l.05)密封直流電磁繼電器詳細要求。本規范適用于觸點負載從低電平至2.0A、28Vd.c.(阻性），2組轉換觸點，引出端間距5.08的超小型(20.5×10.5×10.5）密封直流電磁繼電器。5

本規范規定的LG2型行電源濾波電感器，其全部要法語由本規范和SJ 20037-92《射頻固定和可變電感器總規范》作出規定。本規范適用于機敏雷達光柵顯示器及同類顯示器行電源濾波用LG2型電感器。