本標準規定了利用高分辨 X射線衍射測試Ⅲ族氮化物外延片晶格常數的方法。
本標準適用于在氧化物襯底(Al2O3、ZnO 等)或半導體襯底(GaN、Si、GaAs、SiC等)上外延生長的氮化物(Ga,In,Al)N 單層或多層異質外延片晶格常數的測量。其他異質外延片晶格常數的測量也可參考本標準。