本文件描述了用扇形磁場或四極桿式二次離子質譜儀對硅中硼進行深度剖析的方法，以及用觸針式表面輪廓儀或光學干涉儀深度定標的方法。
本文件適用于硼原子濃度范圍1×1016 atoms/cm3～1×1020 atoms/cm3的單晶硅、多晶硅或非晶硅樣品，濺射弧坑深度在50 nm及以上。