本文件描述了測量經化學機械拋光或外延生長的硅片上表面元素污染的原子表面密度的TXRF方法。
本文件適用于以下情形：
——原子序數從16（S）到92（U）的元素；
——原子表面密度介于1×1010 atoms/cm2~1×1014 atoms/cm2之間的污染元素；
——采用VPD（氣相分解）樣品制備方法得到的原子表面密度介于5×108 atoms/cm2~5×1012 atoms/cm2之間的污染元素（見3.4）。