本標準規定了微電子技術用貴金屬漿料中方阻的測定方法。本部分適用于微電子技術用貴金屬漿料方阻的測定。 本標準是對ＧＢ／Ｔ１７４７３—１９９８《厚膜微電子技術用貴金屬漿料測試方法》（所有部分）的整合修訂，分為７個部分.本部分為ＧＢ／Ｔ１７４７３—２００８的第３部分。
本部分代替ＧＢ／Ｔ１７４７３．３—１９９８《厚膜微電子技術用貴金屬漿料測試方法　方阻測定》。
本部分與ＧＢ／Ｔ１７４７３．３—１９９８相比，主要有如下變動：
———將原標準名稱修改為微電子技術用貴金屬漿料測試方法　方阻測定；
———增加低溫固化型漿料方阻的測定方法；
———原標準的原理中，“將漿料用絲網印刷在陶瓷基片，經過燒結后，膜層在一定溫度及其厚度、寬度不變的情況下……”修改為：“將漿料用絲網印刷在陶瓷基片或有機樹脂基片上，經過燒結或固化后，膜層在一定溫度及厚度、寬度不變的情況下”；
———測厚儀修改為：光切顯微測厚儀用于燒結型漿料：范圍為０ｍｍ～５ ｍｍ，精度為０．００１ ｍｍ。千分尺用于固化型漿料：范圍為０ｍｍ～５ｍｍ，精度為０．００１ｍｍ。