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低溫傅立葉變換紅外光譜法測量硅單晶中III、V族雜質含量的測試方法

標 準 號: GB/T 24581-2009
替代情況:
發布單位: 中華人民共和國國家質量監督檢驗檢疫總局 中國國家標準化管理委員會
起草單位: 四川新光硅業科技有限責任公司
發布日期: 2009-10-30
實施日期: 2010-06-01
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更新日期: 2020年02月01日
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內容摘要

本標準適用于檢測硅單晶中的電活性元素硼(B)、磷(P)、砷(As)、鋁(Al)、銻(Sb)和鎵(Ga)的含量。
本標準所適用的硅中每一種電活性元素雜質或摻雜劑濃度范圍為(0.01×10-9~5.0×10-9)a。
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