本文件規(guī)定了CMOS集成電路抗輻射（總劑量、單粒子）加固設(shè)計(jì)的流程、設(shè)計(jì)要求、建模仿真、驗(yàn)證試驗(yàn)要求。
本文件適用于基于體硅/SOI CMOS工藝的數(shù)字集成電路、模擬集成電路和數(shù)模混合集成電路的抗輻射（總劑量、單粒子）加固設(shè)計(jì)。
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