本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了一種準(zhǔn)確測(cè)量硅晶片表面超薄氧化硅層厚度的方法,即X 射線光電子能譜法(XPS)。本標(biāo)準(zhǔn)適用于熱氧化法在硅晶片表面制備的超薄氧化硅層厚度的準(zhǔn)確測(cè)量;通常,本標(biāo)準(zhǔn)適用的氧化硅層厚度不大于6nm。