安全工作區(SOA)是MOSFET器件設計中的一個關鍵參數。傳統CMOS在襯底電流．柵極電壓曲線上只出現一個襯底電流峰值，該峰值可直接反映出熱載流子注入(HCI)效應最強的位置，因此可以容易地給出其SOA；而對于橫向雙擴散MOSFET(LDMOS)器件，由于Kirk效應的發生，造成其襯底電流峰值不明顯。此時的襯底電流已經不能再完全反映HCI效應的強弱。單純使用Hu模式或襯底電流模式對SOA測試和分析都不合適。針對發生嚴重 rk效應的LDMOS，此處提出一套更合理的HCI SOA測試方法，該方法既能節省測試時間，同時準確性又高。